TECHCET首席策略師Karey Holland指出，預(yù)計(jì)2023年芯片需求下滑，再加上去年開(kāi)始不斷增加的存儲(chǔ)芯片庫(kù)存，導(dǎo)致該市場(chǎng)將下滑2.2%。他預(yù)計(jì)芯片需求放緩將在2024年之前恢復(fù)。

　　Karey Holland表示，CMP輔助設(shè)備市場(chǎng)的未來(lái)增長(zhǎng)在很大程度上受到每一代新設(shè)備(包括邏輯和存儲(chǔ)器)對(duì)更多 CMP 工藝步驟的需求的影響。” 目前，F(xiàn)inFET晶體管需要大約41個(gè)CMP步驟。2堆棧3D NAND有大約28個(gè)CMP工藝步驟，另外8個(gè)額外的CMP步驟將隨著3D NAND制造商過(guò)渡到下一代節(jié)點(diǎn)而增加。

　　GAA/Nanosheet ForkSheet等新邏輯節(jié)點(diǎn)的技術(shù)發(fā)展為CMP帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，使用更薄的層并需要更好的厚度控制和新材料。這會(huì)給過(guò)濾器和濾墊調(diào)節(jié)器帶來(lái)額外的負(fù)擔(dān)。鈷、釕、鉬和鋯等新材料將迫使晶圓廠(chǎng)重新審視CMP擁有成本，因?yàn)檫@些新材料和工藝將影響使用壽命和用于輔助設(shè)備的材料類(lèi)型，如墊調(diào)節(jié)器、過(guò)濾器和刷子。例如，隨著電介質(zhì)層變薄，對(duì)較低表面粗糙度的需求推動(dòng)了對(duì)納米二氧化鈰漿料的需求，這也可能需要新型漿料過(guò)濾器。

　　TECHCET預(yù)計(jì)在需求高增長(zhǎng)的地區(qū)將有更多的分布式生產(chǎn)，以幫助抵消未來(lái)因芯片產(chǎn)能擴(kuò)張而出現(xiàn)的供應(yīng)延遲。此外，新的生產(chǎn)設(shè)施預(yù)計(jì)將在亞利桑那州和德克薩斯州從頭開(kāi)始建造，以支持臺(tái)積電和三星的新廠(chǎng)擴(kuò)張。