Sammobile引述《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星設備解決方案部門主管Kye Hyun Kyung 4日稍早在三星半導體舉辦的課程中表示，三星的晶圓代工技術「目前落后臺積電」，旗下的4納米制程大約落后臺積電兩年 ，3納米制程則約落后一年。

　　不過，他強調，三星如今有優(yōu)勢，能在五年內超越臺積電。

　　三星計劃從3納米開始運用環(huán)繞式柵極(GAA)制程，是該公司相信能在五年內超越臺積電的關鍵。 相較之下，臺積電在2納米之前都不會采用GAA，三星相信公司能趁此機會趕上臺積電。

　　與臺積電目前采用的制程相較，GAA可讓三星芯片的體積更小(少45%)、耗電量更低(少50%)。 Kye Hyun Kyung說，「客戶對三星3納米GAA制程的反應不錯。」

　　有趣的是，Kye Hyun Kyung還說，三星相信內存對AI服務器的重要性將超越英偉達繪圖處理器(GPU)。 他說，三星將「確保以內存為中心的超級計算機在2028年底前問世。」

　　三星稱4納米良率逼近5納米

　　韓國媒體Pulse 5月3日報道，三星最近在社群媒體發(fā)文指出，4納米制程良率快速改善、如今已接近5奈米的水平。 三星表示，「次世代4納米制程將提供更好的良率。」 業(yè)界人士說，三星過去很少向大眾揭露芯片制程的良率細節(jié)。

　　三星今(2023)年的良率、產能出現(xiàn)明顯改善。 報導指出，業(yè)界人士透露，三星4納米制程良率如今已可媲美臺積電，也因而吸引客戶回流。 據(jù)傳，超威(AMD)、三星已敲定4納米合作協(xié)議，三星為Google Pixel 8智能機設計的Tensor 3處理器，也會采用自家的第三代4納米制程。