據介紹，氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優(yōu)異的物理化學(xué)特性，在微電子與光電子領(lǐng)域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點(diǎn)、高溫分解以及易開(kāi)裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。

　　中國電科 46 所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場(chǎng)設計出發(fā)，成功構建了適用于 6 英寸氧化鎵單晶生長(cháng)的熱場(chǎng)結構，突破了 6 英寸氧化鎵單晶生長(cháng)技術(shù)，具有良好的結晶性能，可用于 6 英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國氧化鎵材料實(shí)用化進(jìn)程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　備注：中國電科 46 所位于天津市河西區，是我國最早從事半導體材料和光纖研究開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)的單位之一，自成立以來(lái)，致力于為我國電子信息提供高性能、高可靠的各類(lèi)電子功能材料。

　　中國電科 46 所擁有硅單晶拋光片、半絕緣砷化鎵拋光片、偏振保持光纖國軍標生產(chǎn)線(xiàn)，具備規模化生產(chǎn)能力;業(yè)務(wù)覆蓋半導體材料、新型電子功能材料、特種光纖與器件、功能基板及陶瓷材料、電子專(zhuān)用材料理化分析及監督檢測、電子工業(yè)儀表及電子專(zhuān)用設備六大板塊，各類(lèi)產(chǎn)品廣泛應用于光電探測、空間工程、網(wǎng)絡(luò )通訊、新一代武器裝備和電子信息系統等領(lǐng)域，為我國電子信息發(fā)展提供了高性能、高可靠性的支撐材料。