三星今天宣布，將開始更高密度LPDDR3芯片的量產(chǎn)。三星將出貨3GB容量的LPDDR3芯片模組，這意味著下一代高端智能手機很可能將采用3GB內(nèi)存。
這一新的LPDDR3模組由6顆20納米4Gb內(nèi)存芯片分兩列堆疊而成，厚度僅為0.8毫米。三星表示，這一內(nèi)存模組的數(shù)據(jù)傳輸速率將達到2133Mbps。
此外，三星目前還在開發(fā)另一個版本的產(chǎn)品，即使用4顆6Gb內(nèi)存芯片進行堆疊，這將進一步提升產(chǎn)品性能。
采用這一新內(nèi)存產(chǎn)品的智能手機將可以更輕薄，或是增大電池容量。而更大、更快的內(nèi)存芯片將可以更好地支持多任務(wù)、視頻播放，并給需要大內(nèi)存的應(yīng)用帶來更好的表現(xiàn)。
這一芯片不僅可以供智能手機使用，明年采用3GB或6GB內(nèi)存的平板電腦也可能面市。
